パワーエレ・ワイドギャップ半導体

教授　

IWAMURO Noriyuki

パワー半導体デバイス、シリコンカーバイド

電力変換装置や電源装置の省エネに貢献する高性能、高信頼パワーデバイス、特にシリコンカーバイド（SiC）−MOSFETならびにショットキバリアダイオード（SBD）の研究・開発。

教授　

YANO Hiroshi

パワーデバイス、SiC、MOS 界面

パワーエレクトロニクスに革新をもたらす超低損失SiCパワーデバイスの研究、特にSiC-MOSデバイスの特性向上および界面基礎物理の理解。

准教授　

ISOBE Takanori

パワーエレクトロニクス、電力工学、スマートグリッド

回路技術・制御技術による電力変換装置の高効率化と高電力密度化（小型軽量化）の研究。
またパワーエレクトロニクス技術の新たな応用分野の開拓。

准教授　

OKUMURA Hironori

結晶成長、パワーデバイス、半導体物性

窒化物および酸化物を中心とする半導体の結晶成長とデバイス応用。

助教　

SHINEI Chikara

ダイヤモンド、NVセンタ、量子センシング

ダイヤモンドに形成させた窒素空孔複合欠陥(NVセンタ)を量子センサとして
応用する研究を行っています。