物理工学域セミナー（2024年10月21日）

下記の要領で物理工学域セミナー（公開）を開催します。

日　時：2024年10月21日（月）　17:00-18:00

場　所：工学系学系F棟800号室

講演題目：新規半導体薄膜の結晶成長と機械学習応用

氏  名：石山 隆光

所　属：応用理工学位プログラム　電子・物理工学サブプログラム　D2

講演概要：本セミナーでは、GeやInGaAsSbなどの新規半導体薄膜の合成技術や、その機械学習応用に関する研究成果をご紹介します。① 多結晶Ge薄膜のトランジスタ応用を想定し、そのチャネル中の粒界制御を実現するため、Siで実績のある金属誘起横方向成長を適用しました。本研究では、24種の金属を検討し、その成長様態を評価しました。② InGaAsSbは混晶散乱が優れた熱電特性に寄与することが期待されますが、探索空間が広大で研究事例は限られています。今回、機械学習技術の一つであるベイズ最適化を活用し、熱電特性を効果的に探索し、少ない実験回数で特性を向上させることに成功しました。③ 更に我々は、結晶成長過程の自動解析にも取り組みました。従来の熱処理と観察を繰り返す手法に代わり、深層学習を導入し、横方向成長速度や核発生頻度などの重要パラメータを迅速に取得する技術を開発しました。これらの成果は、次世代半導体材料の研究と応用に大きく貢献することが期待されます。